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江苏自动失效分析哪家快 FAI微光显微镜提供的另一项技术-MoireThermalAnalysis(温度波纹分析),比其它技术具有较低的热分辨率,是用于背面热像分析的技术(而FMI和Liquidcrystal不能达到)。我们同样很自豪的为客户提供合理的产品解决方案,并不是基于现在在这个行业热门的东西来操作。我们所提供的解决方案旨在解决客户在日复一日,年复一年失效分析中碰到的难题。FAI为所有类型的客户提供智能解决方案,从简单应用测试到完整的一套测试平台,如探针台,InGaAs探测器,激光诱导,荧光微热成像以及屏蔽黑匣子安装等。FAI微光显微镜不但具备了漏电的基本检测,它也实现了各种短路的全检测,真正实现了一机多用,比较大限度的帮助客户实现了元件多种失效状态下的分析检测。江苏自动失效分析哪家快

苏州兰博斯特电子科技公司正式成立于2015年4月,位于风景秀丽的金鸡湖畔。我们致力于引进欧美先进的电子技术、研发分析技术和高端测试技术。我们代理和销售电子、半导体、新能源等行业的生产及测试设备,失效分析设备仪器。如:美国MACCOR电池测试仪,飞针测试仪,EMMI微光显微镜,热阻特性测试仪,激光开封机,化学开封机,机械开封机,桌面型温控仪等。尤其在新能源测试和失效分析等方面,我们有着专业的销售和技术支持服务团队,相关产品遍布国内各大优质知名企业和高等院校以及军工国防、航空、航天等科研院所。我们为广大客户提供着优质、快捷、专业的测试(ICT,飞针测试,FCT)、失效分析等解决方案及技术支持!赢得了广大客户的信赖和支持!江苏优质失效分析服务放心可靠

EMMI可搭配激光诱导OBIRCH(光束诱导电阻变化)光诱导电阻变化(OBIRCH)模式能快速准确的进行IC中元件的短路、布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺点。其工作原理是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描,激光束部分能量转化为热能,如果金属互联线存在缺点,缺点处温度将无法迅速通过金属线传导散开,这将导致缺点处温度累计升高,并进一步引起金属线电阻以及电流变化,通过变化区域与激光束扫描位置的对应,定位缺点位置。OBIRCH模式具有**辨能力,其测试精度可达nA级。PEM(PhotoEmissionMicroscope)光束诱导电阻变化(OBIRCH)功能与光发射(EMMI)常见集成在一个检测系统,合称PEM(PhotoEmissionMicroscope),两者互为补充,能够很好的应对绝大多数失效模式。

我们专有的整套的CrystalVision软件,它的设计基于容易使用操作,强大的功能同时可以控制所有的硬件和变量分析。客户在初购买时可以选择其中几个模块,当以后的工作需要时可以在其基础上继续增加应用模块。我们的参数界面是一个模块,用户使用这个模块可以使电子触发信号和图像捕捉保持同步。由于我们的客户不断发展新产品和新技术,所以失效分析技术的发展能够与其保持同步是至关重要的。FAI的***的硬件和软件模块为我们的设备提供了预见性的功能模块,使得使用我们机器的用户能够享受设备升级带来的好处。比如激光技术和LED技术的升级,允许我们加宽光源范围,将全部波长的光谱应用于样品正面和背面检查。

半导体器件和电路制造技术飞速发展,器件特征尺寸不断下降,而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺点定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。对于半导体失效分析(FA)而言,微光显微镜(EmissionMicroscope,EMMI)是一种相当有用且效率高的分析工具。微光显微镜其高灵敏度的侦测能力,可侦测到半导体组件中电子-电洞对再结合时所发射出来的光线,能侦测到的波长约在350nm~1100nm左右。它可以***的应用于侦测IC中各种组件缺点所产生的漏电流,如:Gateoxidedefects/Leakage、Latchup、ESDfailure、junctionLeakage等。苏州兰博斯特电子科技有限公司代理的美国FAI生产的EMMI配备了深度制冷CCD和InGaAs相机,而且可以扩展激光诱导和荧光微热处理,真正实现了漏电和短路的全检测,做到了一机多用。江苏自动失效分析高性价比的选择

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对于元件的失效分析而言,微光显微镜(EmissionMicroscope,EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。它主要用于侦测IC内部所放出光子。在IC元件中,EHP(ElectronHolePairs)Recombination会放出光子(Photon)。举例说明:在P-N结加偏压,此时N阱的电子很容易扩散到P阱,而P的空穴也容易扩散至N然后与P端的空穴(或N端的电子)做EHPRecombination。会产生亮点的缺点-漏电结(JunctionLeakage);接触毛刺(Contactspiking);(热电子效应)Hotelectrons;闩锁效应(Latch-Up);氧化层漏电(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));多晶硅晶须(Poly-siliconfilaments);?衬底损伤(Substratedamage);(物理损伤)Mechanicaldamage等。原来就会有的亮点-Saturated/Activebipolartransistors;-SaturatedMOS/DynamicCMOS;Forwardbiaseddiodes/Reverse;biaseddiodes(breakdown)等。不会出现亮点的故障-?欧姆接触;金属互联短路;表面反型层;硅导电通路等。亮点被遮蔽之情况-BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal,这种情况可以采用backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。江苏自动失效分析哪家快

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